W27C512 DIP-28

Najważniejsze dane o W27C512 DIP-28

Opis ogólny

• Pamięć typu: EEPROM (Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory)

• Organizacja: 64K x 8 bitów (512 Kbit, 64 KB)

• Obudowa: DIP-28 (28-pinowa, montaż przewlekany)

• Producent: Winbond

Parametry elektryczne i czasowe

• Napięcie zasilania: 5 V (typowo)

• Napięcie kasowania: +14 V

• Napięcie programowania: +12 V

• Czas dostępu: 45 ns, 70 ns, 90 ns lub 120 ns (w zależności od wersji)

• Prąd podczas odczytu: maks. 30 mA

• Prąd podczas programowania/kasowania: maks. 30 mA

• Prąd w trybie czuwania: maks. 1 mA

Właściwości funkcjonalne

• Pełna statyczna praca (brak konieczności odświeżania)

• Kasowanie i programowanie elektryczne (brak potrzeby użycia UV)

• Wejścia/wyjścia kompatybilne z TTL/CMOS

• Trójstanowe wyjścia

Pozostałe informacje

• Temperatura pracy: 0°C do +70°C (wersja komercyjna)

• Typowe zastosowania: przechowywanie firmware, BIOS, pamięci konfiguracyjne w urządzeniach elektronicznych

• Pinout zgodny z popularnymi pamięciami 27C512

Wyprowadzenia (DIP-28)

• 15 linii adresowych (A0–A14)

• 8 linii danych (Q0–Q7)

• Linie sterujące: CE (Chip Enable), OE/Vpp (Output Enable / Programowanie), GND, Vcc

Cechy dodatkowe

• Możliwość wielokrotnego kasowania i programowania

• Dostępna również w innych obudowach (PLCC-32)

To najważniejsze informacje o układzie W27C512 w obudowie DIP-28.